3CG22. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CG22

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для 3CG22

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CG22 даташит

 ..1. Size:124K  china
 3cg22.pdf pdf_icon

3CG22

3CG22 PNP A B C D E F G PCM 500 mW ICM 100 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 20 30 40 50 65 80 95 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 15 25 35 50 65 80 95 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.1 A ICEO VCE=10V 0.1

Другие транзисторы: 3CG1980M, 3CG1981, 3CG1981M, 3CG2, 3CG200, 3CG201, 3CG2048, 3CG21, B772, 3CG23, 3CG2905, 3CG2907, 3CG2907A, 3CG298, 3CG3, 3CG3906, 3CG4126