Биполярный транзистор 3CG608K - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3CG608K
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: TO92
3CG608K Datasheet (PDF)
..1. Size:263K lzg
3cg608k.pdf
3cg608k.pdf
2SA608(3CG608) 2SA608K(3CG608K) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: General- purpose AMP, switching applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit 2SA608 -40 VCBO V 2SA608K -55 2SA608 -30 V V CEO 2SA608K -50 VEBO -5.0 V I -100 mA C
8.1. Size:263K lzg
3cg608.pdf
3cg608.pdf
2SA608(3CG608) 2SA608K(3CG608K) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: General- purpose AMP, switching applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit 2SA608 -40 VCBO V 2SA608K -55 2SA608 -30 V V CEO 2SA608K -50 VEBO -5.0 V I -100 mA C
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
