3CG778A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CG778A

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 180 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 3CG778A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CG778A даташит

 ..1. Size:237K  lzg
 3cg778a.pdf pdf_icon

3CG778A

2SA778(3CG778) 2SA778A(3CG778A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Purpose High voltage medium speed switching. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit 3CG778 -150 V CBO V 3CG778A -180 3CG778 -150 V V CER 3CG778A -180 V EBO -5.0 V I -50 mA C P

 8.1. Size:237K  lzg
 3cg778.pdf pdf_icon

3CG778A

2SA778(3CG778) 2SA778A(3CG778A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Purpose High voltage medium speed switching. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit 3CG778 -150 V CBO V 3CG778A -180 3CG778 -150 V V CER 3CG778A -180 V EBO -5.0 V I -50 mA C P

 9.1. Size:174K  lzg
 3cg774.pdf pdf_icon

3CG778A

2SB774(3CG774) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Purpose Audio frequency amplifier. V 2SD889(3DG889) EBO Features High V ,complementary pair with 2SD889(3DG889). EBO /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -30 V CBO V -25 V CEO V -8.0 V EBO I -1

Другие транзисторы: 3CG733, 3CG733M, 3CG739, 3CG743, 3CG743A, 3CG764, 3CG774, 3CG778, 431, 3CG790A, 3CG798, 3CG807-16, 3CG812, 3CG817A, 3CG838, 3CG844, 3CG854S