3CG844. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CG844

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 160

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 3CG844

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CG844 даташит

 ..1. Size:100K  lzg
 3cg844.pdf pdf_icon

3CG844

2SA844(3CG844) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Purpose Low frequency amplifier applications. /Features Excellent h Linearity. FE /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -55 V CBO V -55 V CEO V -5.0 V EBO I -100 mA C I 100 mA E P 300 m

Другие транзисторы: 3CG778, 3CG778A, 3CG790A, 3CG798, 3CG807-16, 3CG812, 3CG817A, 3CG838, B647, 3CG854S, 3CG8550, 3CG8550A, 3CG8551, 3CG857B, 3CG893, 3CG9, 3CG9012