Справочник транзисторов. 3CG8550

 

Биполярный транзистор 3CG8550 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 3CG8550
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 85
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 3CG8550

 

 

3CG8550 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:553K  jilin sino
3cg8550.pdf

3CG8550
3CG8550

PNP PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR R3CG8550 MAIN CHARACTERISTICS Package I -1.5A CV -25V CEOP 1W C APPLICATIONS High frequency switching power supply High frequency power transform Commonly power amplifier circuit TO-92

 ..2. Size:221K  foshan
3cg8550.pdf

3CG8550
3CG8550

S8550(3CG8550) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: Amplifier of portable radios in class B push-pull operation. :P I , S8050(3DG8050) C CFeatures: High P and I , complementary pair with S8050(3DG8050). C C/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Uni

 0.1. Size:184K  foshan
3cg8550a.pdf

3CG8550
3CG8550

S8550A(3CG8550A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: Amplifier of portable radios in class B push-pull operation. :P I , S8050A(3DG8050A) C CFeatures: High P and I , complementary pair with S8050A(3DG8050A). C C/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rati

 0.2. Size:136K  foshan
3cg8550m s8550m.pdf

3CG8550
3CG8550

S8550M(3CG8550M) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: Power amplifier applications. : S8050M(3DG8050M)/Features: Complementary pair with S8050M(3DG8050M). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -40 V CBO V -25 V CEO V -6.0 V EBO I -800 mA

 8.1. Size:109K  jiangsu
3cg8551.pdf

3CG8550

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors TO 92L 3CG8551 TRANSISTOR (PNP) 1. EMITTER 2. COLLECTOR FEATURES General Purpose Switching Application 3. BASE Complementary to 3DG8051 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage -50 V VCEO Collector-Emitter Vo

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP35C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

 

 
Back to Top