3CG893. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CG893

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 70 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 3CG893

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CG893 даташит

 ..1. Size:218K  lzg
3cg893.pdfpdf_icon

3CG893

2SB893(3CG893) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR , , Purpose Power supplies, relay drivers, lamp drivers, strobes. , , Features Low saturation voltage,large current capacity and wide ASO. /Absolute maximum ratings(Ta=25 )

Другие транзисторы: 3CG817A, 3CG838, 3CG844, 3CG854S, 3CG8550, 3CG8550A, 3CG8551, 3CG857B, BC547, 3CG9, 3CG9012, 3CG926, 3CG937, 3CG950, 3CG952, 3CG953, 3CG953M