3CG926. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CG926

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 32 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 3CG926

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CG926 даташит

 ..1. Size:219K  lzg
 3cg926.pdf pdf_icon

3CG926

2SB926(3CG926) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose Power supplies, relay drivers, lamp drivers, electrical equipment. FBET MBIT , , Features Adoption of FBET,MBIT processes, low saturation voltage, large c

Другие транзисторы: 3CG854S, 3CG8550, 3CG8550A, 3CG8551, 3CG857B, 3CG893, 3CG9, 3CG9012, BD139, 3CG937, 3CG950, 3CG952, 3CG953, 3CG953M, 3CG965, 3CG966, 3CG966T