Справочник транзисторов. 3CK100

 

Биполярный транзистор 3CK100 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3CK100
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO276AB TO257
 

 Аналог (замена) для 3CK100

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CK100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:192K  china
 3ck100.pdf pdf_icon

3CK100

3CK100 PNP A B C D E F PCM TC=25 100 W ICM 10 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 1.5 /W IC=3A V(BR)CBO ICB=5mA 25 50 100 150 200 250 V V(BR)CEO ICE=5mA 25 50 100 150 200 250 V V(BR)EBO IEB=5mA 5.0 V ICBO VCB=20V 1.0 mA

 9.1. Size:129K  china
 3ck104.pdf pdf_icon

3CK100

3CK104 PNP B C D E F TC25 15 TC=75 10 W Ptot TC25 0.1 W/ TC25 0.75 TC25 0.005 ICM 3/1 A IB 0.5 Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.5mA 50 80 110 150 200 V ICE=1mA V(BR)CEO 50 80

 9.2. Size:130K  china
 3ck10.pdf pdf_icon

3CK100

3CK10 PNP A B C D E F PCM TC=25 1 W ICM 1 A Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.5mA 25 35 40 35 45 55 V V(BR)CEO ICE=0.5mA 20 30 35 30 40 50 V V(BR)EBO IEB=0.5mA 4.0 V ICBO VCB=10V 10 A ICEO VCE=10V 20 A I

Другие транзисторы... 3CG966 , 3CG966T , 3CG970 , 3CK005 , 3CK010 , 3CK05 , 3CK050 , 3CK10 , TIP3055 , 3CK104 , 3CK110 , 3CK117 , 3CK120 , 3CK1216 , 3CK130 , 3CK2 , 3CK3 .

History: 2N3612 | 2SD1624-T | 2SC997 | 2SD1624-R

 

 
Back to Top

 


 
.