3CK100. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 3CK100
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25
Корпус транзистора: TO276AB TO257
Аналоги (замена) для 3CK100
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
3CK100 даташит
3ck100.pdf
3CK100 PNP A B C D E F PCM TC=25 100 W ICM 10 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 1.5 /W IC=3A V(BR)CBO ICB=5mA 25 50 100 150 200 250 V V(BR)CEO ICE=5mA 25 50 100 150 200 250 V V(BR)EBO IEB=5mA 5.0 V ICBO VCB=20V 1.0 mA
3ck10.pdf
3CK10 PNP A B C D E F PCM TC=25 1 W ICM 1 A Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.5mA 25 35 40 35 45 55 V V(BR)CEO ICE=0.5mA 20 30 35 30 40 50 V V(BR)EBO IEB=0.5mA 4.0 V ICBO VCB=10V 10 A ICEO VCE=10V 20 A I
Другие транзисторы: 3CG966, 3CG966T, 3CG970, 3CK005, 3CK010, 3CK05, 3CK050, 3CK10, A1015, 3CK104, 3CK110, 3CK117, 3CK120, 3CK1216, 3CK130, 3CK2, 3CK3
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
tl431 datasheet | 2sd526 | 2n4403 transistor equivalent | 2sc1318 | 2n3055 transistor equivalent | 2sc1740 | c3229 | c2078 transistor



