3CK110. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 3CK110
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25
Корпус транзистора: TO92 SOT23
Аналоги (замена) для 3CK110
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
3CK110 даташит
3ck110.pdf
3CK110 PNP A B C D E F G PCM 300 mW ICM 50 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 20 35 50 20 35 50 20 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 15 30 45 15 30 45 15 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.2 A ICEO VCE=10V 0.2 A
3ck117.pdf
3CK117(TIP117) PNP PCM TC=25 50 W ICM 4 A Tjm 150 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 2.5 /W IC=1A V(BR)CBO ICB=20mA 100 V 50100 V(BR)CEO ICE=30mA 100 V 100 50 V(BR)EBO IEB=10mA 5.0 V 150 100 ICBO VCB=100V 1.0 mA 200 150
Другие транзисторы: 3CG970, 3CK005, 3CK010, 3CK05, 3CK050, 3CK10, 3CK100, 3CK104, BD140, 3CK117, 3CK120, 3CK1216, 3CK130, 3CK2, 3CK3, 3CK301, 3CK304
History: DMBT9018
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n4403 transistor equivalent | 2sc1318 | 2n3055 transistor equivalent | 2sc1740 | c3229 | c2078 transistor | 2sc458 transistors | 2sa992


