3CK117. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CK117

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1000

Корпус транзистора: TO276AB TO257

 Аналоги (замена) для 3CK117

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CK117 даташит

 ..1. Size:133K  china
 3ck117.pdf pdf_icon

3CK117

3CK117(TIP117) PNP PCM TC=25 50 W ICM 4 A Tjm 150 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 2.5 /W IC=1A V(BR)CBO ICB=20mA 100 V 50100 V(BR)CEO ICE=30mA 100 V 100 50 V(BR)EBO IEB=10mA 5.0 V 150 100 ICBO VCB=100V 1.0 mA 200 150

 9.1. Size:133K  china
 3ck110.pdf pdf_icon

3CK117

3CK110 PNP A B C D E F G PCM 300 mW ICM 50 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 20 35 50 20 35 50 20 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 15 30 45 15 30 45 15 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.2 A ICEO VCE=10V 0.2 A

Другие транзисторы: 3CK005, 3CK010, 3CK05, 3CK050, 3CK10, 3CK100, 3CK104, 3CK110, TIP3055, 3CK120, 3CK1216, 3CK130, 3CK2, 3CK3, 3CK301, 3CK304, 3CK35