Биполярный транзистор 3CK120 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3CK120
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: TO18
3CK120 Datasheet (PDF)
..1. Size:122K china
3ck120.pdf
3ck120.pdf
3CK120 PNP A B C D E PCM 500 mW ICM 200 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 20 35 50 20 35 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 15 30 45 15 30 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.5 A ICEO VCE=10V 0.5 A IEBO VEB=4V
9.1. Size:193K china
3ck1216.pdf
3ck1216.pdf
3CK1216 PNP Ta=25 1 PCM W Ta=75 20 IC 4 A Tjm 150 Tstg -55~150 ICB=0.01mV(BR)CBO 120 V A V(BR)CEO ICE=1mA 100 V IEB=0.01mV(BR)EBO 6 V A ICBO VCB=100V 1 A ICBO VCB=4V 1 A IC=2A VBEsat 1.2 V IB=0.2A VCEsat 0.5 VCE=5V
Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , 2222A , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050