3CK35. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CK35

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 3CK35

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CK35 даташит

 ..1. Size:120K  china
 3ck35.pdf pdf_icon

3CK35

3CK35 PNP B C D E F TC=25 15 PCM W TC=75 10 ICM 3 A Tjm 175 Tstg -55 150 Rth 10 /W V(BR)CBO ICB=1mA 50 80 110 150 200 V V(BR)CEO ICE=1mA 50 80 110 150 200 V V(BR)EBO IEB=1mA 5 V ICBO1 0.1 A ICBO2 1 A VBEsa

Другие транзисторы: 3CK117, 3CK120, 3CK1216, 3CK130, 3CK2, 3CK3, 3CK301, 3CK304, 2N2222A, 3CK4, 3CK5323, 3CK9, 3DD03T, 3DD04T, 3DD05, 3DD05T, 3DD1