3DD13005GRD - описание и поиск аналогов

 

3DD13005GRD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DD13005GRD

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO262

 Аналоги (замена) для 3DD13005GRD

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD13005GRD даташит

 ..1. Size:155K  crhj
3dd13005grd.pdfpdf_icon

3DD13005GRD

NPN R 3DD13005 GRD 3DD13005 GRD NPN VCEO 400 V IC 4 A Ptot TC=25 75 W

 ..2. Size:154K  wuxi china
3dd13005grd.pdfpdf_icon

3DD13005GRD

NPN R 3DD13005 GRD 3DD13005 GRD NPN VCEO 400 V IC 4 A Ptot TC=25 75 W

 5.1. Size:145K  crhj
3dd13005g3d.pdfpdf_icon

3DD13005GRD

NPN R 3DD13005 G3D 3DD13005 G3D NPN VCEO 400 V IC 4 A Ptot W TC=25 40

 5.2. Size:147K  crhj
3dd13005g7d.pdfpdf_icon

3DD13005GRD

Другие транзисторы: 3DD13005C9D, 3DD13005F7, 3DD13005F8, 3DD13005F8-1, 3DD13005F9-1, 3DD13005G3D, 3DD13005G7D, 3DD13005G8D, 2N2222, 3DD13005N7D, 3DD13005N8D, 3DD13005P8D, 3DD13007, 3DD13007B8, 3DD13007H8D, 3DD13007X1, 3DD13007Y8

 

 

 

 

↑ Back to Top
.