3DD13005N8D - описание и поиск аналогов

 

3DD13005N8D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DD13005N8D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO220AB

 Аналоги (замена) для 3DD13005N8D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD13005N8D даташит

 ..1. Size:155K  crhj
3dd13005n8d.pdfpdf_icon

3DD13005N8D

NPN R 3DD13005 N8D 3DD13005 N8D NPN VCEO 400 V IC 4 A Ptot W TC=25 75

 5.1. Size:468K  jiangsu
3dd13005nd66.pdfpdf_icon

3DD13005N8D

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistor TO-220-3L 3DD13005ND66 TRANSISTOR (NPN) BASE 1 . FEATURES 2. COLLECTOR Power switching applic

 5.2. Size:148K  crhj
3dd13005n7d.pdfpdf_icon

3DD13005N8D

NPN R 3DD13005 N7D 3DD13005 N7D NPN VCEO 400 V IC 4 A Ptot W TC=25 60

 6.1. Size:440K  1
3dd13005md.pdfpdf_icon

3DD13005N8D

Другие транзисторы: 3DD13005F8, 3DD13005F8-1, 3DD13005F9-1, 3DD13005G3D, 3DD13005G7D, 3DD13005G8D, 3DD13005GRD, 3DD13005N7D, C945, 3DD13005P8D, 3DD13007, 3DD13007B8, 3DD13007H8D, 3DD13007X1, 3DD13007Y8, 3DD13007Z7, 3DD13007Z8

 

 

 

 

↑ Back to Top
.