3DD13005P8D - описание и поиск аналогов

 

3DD13005P8D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DD13005P8D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO220AB

 Аналоги (замена) для 3DD13005P8D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD13005P8D даташит

 ..1. Size:156K  crhj
3dd13005p8d.pdfpdf_icon

3DD13005P8D

 4.1. Size:460K  blue-rocket-elect
br3dd13005p8f.pdfpdf_icon

3DD13005P8D

MJE13005P8(BR3DD13005P8F) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220F NPN Silicon NPN transistor in a TO-220F Plastic Package. / Features , High voltage capability, high speed switching. / Applications High fr

 5.1. Size:470K  blue-rocket-elect
br3dd13005p7r.pdfpdf_icon

3DD13005P8D

MJE13005P7(BR3DD13005P7R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 NPN Silicon NPN transistor in a TO-220 Plastic Package. / Features , High voltage capability, high speed switching. / Applications High frequency electronic lightin

 6.1. Size:440K  1
3dd13005md.pdfpdf_icon

3DD13005P8D

Другие транзисторы: 3DD13005F8-1, 3DD13005F9-1, 3DD13005G3D, 3DD13005G7D, 3DD13005G8D, 3DD13005GRD, 3DD13005N7D, 3DD13005N8D, C1815, 3DD13007, 3DD13007B8, 3DD13007H8D, 3DD13007X1, 3DD13007Y8, 3DD13007Z7, 3DD13007Z8, 3DD13009

 

 

 

 

↑ Back to Top
.