Справочник транзисторов. 3DD13007

 

Биполярный транзистор 3DD13007 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DD13007
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8
   Корпус транзистора: TO263
 

 Аналог (замена) для 3DD13007

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD13007 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:274K  lge
3dd13007.pdfpdf_icon

3DD13007

3DD13007(NPN) TO-220 TransistorTO-2201.BASE 2.COLLECTOR 3.EMITTER 3 21Features power switching applications MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 700 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V Dimensions in inches and (millimeters)VEBO Emitter-Base Voltage 9 V IC Collector Current -Continuous 8

 ..2. Size:154K  crhj
3dd13007 z8.pdfpdf_icon

3DD13007

NPN R 3DD13007 Z8 3DD13007 Z8 NPN VCEO 200 V IC 8 A Ptot TC=25 75 W

 ..3. Size:155K  crhj
3dd13007 b8.pdfpdf_icon

3DD13007

NPN R 3DD13007 B8 3DD13007 B8 NPN VCEO 400 V IC 8 A Ptot W TC=25 80

 ..4. Size:151K  crhj
3dd13007 z7.pdfpdf_icon

3DD13007

NPN R 3DD13007 Z7 3DD13007 Z7 NPN VCEO 200 V IC 8 A Ptot TC=25 50 W

Другие транзисторы... 3DD13005F9-1 , 3DD13005G3D , 3DD13005G7D , 3DD13005G8D , 3DD13005GRD , 3DD13005N7D , 3DD13005N8D , 3DD13005P8D , TIP41 , 3DD13007B8 , 3DD13007H8D , 3DD13007X1 , 3DD13007Y8 , 3DD13007Z7 , 3DD13007Z8 , 3DD13009 , 3DD13009A8 .

 

 
Back to Top

 


 
.