3DD13007 - описание и поиск аналогов

 

3DD13007. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DD13007

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: TO263

 Аналоги (замена) для 3DD13007

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD13007 даташит

 ..1. Size:274K  lge
3dd13007.pdfpdf_icon

3DD13007

3DD13007(NPN) TO-220 Transistor TO-220 1.BASE 2.COLLECTOR 3.EMITTER 3 2 1 Features power switching applications MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 700 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V Dimensions in inches and (millimeters) VEBO Emitter-Base Voltage 9 V IC Collector Current -Continuous 8

 ..2. Size:154K  crhj
3dd13007 z8.pdfpdf_icon

3DD13007

NPN R 3DD13007 Z8 3DD13007 Z8 NPN VCEO 200 V IC 8 A Ptot TC=25 75 W

 ..3. Size:155K  crhj
3dd13007 b8.pdfpdf_icon

3DD13007

NPN R 3DD13007 B8 3DD13007 B8 NPN VCEO 400 V IC 8 A Ptot W TC=25 80

 ..4. Size:151K  crhj
3dd13007 z7.pdfpdf_icon

3DD13007

NPN R 3DD13007 Z7 3DD13007 Z7 NPN VCEO 200 V IC 8 A Ptot TC=25 50 W

Другие транзисторы: 3DD13005F9-1, 3DD13005G3D, 3DD13005G7D, 3DD13005G8D, 3DD13005GRD, 3DD13005N7D, 3DD13005N8D, 3DD13005P8D, 2N5401, 3DD13007B8, 3DD13007H8D, 3DD13007X1, 3DD13007Y8, 3DD13007Z7, 3DD13007Z8, 3DD13009, 3DD13009A8

 

 

 

 

↑ Back to Top
.