3DD13012A8 - описание и поиск аналогов

 

3DD13012A8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DD13012A8

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 750 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO220AB

 Аналоги (замена) для 3DD13012A8

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD13012A8 даташит

 ..1. Size:155K  crhj
3dd13012a8.pdfpdf_icon

3DD13012A8

 5.1. Size:160K  crhj
3dd13012an.pdfpdf_icon

3DD13012A8

NPN R 3DD13012 AN 3DD13012 AN NPN VCEO 400 V IC 15 A Ptot TC=25 120 W

 6.1. Size:161K  crhj
3dd13012 an.pdfpdf_icon

3DD13012A8

NPN R 3DD13012 AN 3DD13012 AN NPN VCEO 400 V IC 15 A Ptot TC=25 120 W

 6.2. Size:155K  crhj
3dd13012 a8.pdfpdf_icon

3DD13012A8

Другие транзисторы: 3DD13007Y8, 3DD13007Z7, 3DD13007Z8, 3DD13009, 3DD13009A8, 3DD13009AN, 3DD13009C8, 3DD13009X8D, TIP3055, 3DD13012AN, 3DD137, 3DD14A, 3DD15, 3DD151, 3DD153, 3DD155, 3DD157

 

 

 

 

↑ Back to Top
.