Биполярный транзистор 3DD162-S Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 3DD162-S
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: TO258 TO3
- подбор биполярного транзистора по параметрам
3DD162-S Datasheet (PDF)
3dd162-s.pdf

3DD162-S NPN PCM Tc=25 75 W ICM 5 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 2.0 /W Ic=1.5A 25Tc75 V(BR)CBO ICB=5mA 80 V V(BR)CEO ICE=5mA 80 V V(BR)EBO IEB=5mA 5.0 V ICBO VCB=80V, 50 A ICEO VCE=70V 1.0 mA IEBO VEB=5.0V 0.5 m
3dd162.pdf

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DD162(3DD163)NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor Features: 1. Using triple-diffusion process.Excellent capacity in anti-burnout.Excellent second breakdown capacity. 2. Good temperature stability.Excellent thermal fatigue capability. 3. Implementation of standards: GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ8
3dd164.pdf

3DD164 NPN A B C D E F G PCM TC=75 100 W ICM 10 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 1 /W IC=3A V(BR)CBO ICB=5mA 80 150 200 250 350 400 600 V V(BR)CEO ICE=5mA 50 100 150 200 250 300 400 V V(BR)EBO IEB=5mA 5.0 V ICBO VCB=5
3dd167.pdf

3DD167 NPN A B C D E F G PCM TC=75 150 W ICM 15 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 0.66 /W IC=5A V(BR)CBO ICB=5mA 80 150 200 250 350 400 600 V V(BR)CEO ICE=5mA 50 100 150 200 250 300 400 V V(BR)EBO IEB=5mA 5.0 V ICBO VC
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
History: SBC328 | 2SC1757E | 2SC1727 | D43C8 | D42T4 | CPH5520 | MP4051
History: SBC328 | 2SC1757E | 2SC1727 | D43C8 | D42T4 | CPH5520 | MP4051



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc984 | 2sa872 | 2sc1222 | 2sc2581 | c1061 transistor | 2sc1451 | c3199 transistor | 2n2712 datasheet