3DD162-S - описание и поиск аналогов

 

3DD162-S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DD162-S

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO258 TO3

 Аналоги (замена) для 3DD162-S

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD162-S даташит

 ..1. Size:138K  china
3dd162-s.pdfpdf_icon

3DD162-S

3DD162-S NPN PCM Tc=25 75 W ICM 5 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 2.0 /W Ic=1.5A 25 Tc 75 V(BR)CBO ICB=5mA 80 V V(BR)CEO ICE=5mA 80 V V(BR)EBO IEB=5mA 5.0 V ICBO VCB=80V, 50 A ICEO VCE=70V 1.0 mA IEBO VEB=5.0V 0.5 m

 8.1. Size:27K  shaanxi
3dd162.pdfpdf_icon

3DD162-S

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DD162(3DD163) NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor Features 1. Using triple-diffusion process.Excellent capacity in anti-burnout.Excellent second breakdown capacity. 2. Good temperature stability.Excellent thermal fatigue capability. 3. Implementation of standards GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ8

 9.1. Size:127K  china
3dd164.pdfpdf_icon

3DD162-S

3DD164 NPN A B C D E F G PCM TC=75 100 W ICM 10 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 1 /W IC=3A V(BR)CBO ICB=5mA 80 150 200 250 350 400 600 V V(BR)CEO ICE=5mA 50 100 150 200 250 300 400 V V(BR)EBO IEB=5mA 5.0 V ICBO VCB=5

 9.2. Size:123K  china
3dd167.pdfpdf_icon

3DD162-S

3DD167 NPN A B C D E F G PCM TC=75 150 W ICM 15 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 0.66 /W IC=5A V(BR)CBO ICB=5mA 80 150 200 250 350 400 600 V V(BR)CEO ICE=5mA 50 100 150 200 250 300 400 V V(BR)EBO IEB=5mA 5.0 V ICBO VC

Другие транзисторы: 3DD14A, 3DD15, 3DD151, 3DD153, 3DD155, 3DD157, 3DD159, 3DD162, 2SD1047, 3DD164, 3DD167, 3DD171, 3DD1724, 3DD175, 3DD176, 3DD2028LL, 3DD203

 

 

 

 

↑ Back to Top
.