3DD3020A4. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 3DD3020A4
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20
Корпус транзистора: TO252
Аналоги (замена) для 3DD3020A4
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
3DD3020A4 даташит
3dd3020a6.pdf
NPN R 3DD3020 A6 3DD3020 A6 NPN VCEO 450 V IC 1.5 A Ptot Tc=25 50 W
3dd3020 a6.pdf
NPN R 3DD3020 A6 3DD3020 A6 NPN VCEO 450 V IC 1.5 A Ptot Tc=25 50 W
Другие транзисторы: 3DD2655, 3DD267, 3DD271, 3DD275, 3DD3, 3DD3015A1, 3DD3015A3, 3DD3020A3, A1013, 3DD3020A6, 3DD3040A1, 3DD3040A3, 3DD3040A4, 3DD3040A6, 3DD3040A7, 3DD3055, 3DD31
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bu406 datasheet | irfb7437 | tip32a | p75nf75 mosfet equivalent | irfpe50 | tip50 | transistor bc547 datasheet | bc109c