Биполярный транзистор 3DD3040A4 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DD3040A4
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO252
Аналоги (замена) для 3DD3040A4
3DD3040A4 Datasheet (PDF)
6.4. Size:178K crhj
3dd3040a1.pdf
3dd3040a1.pdf
NPN R 3DD3040 A1 3DD3040 A1-H NPN VCEO 450 V IC 2 A Ptot Ta=25 0.8 W
6.5. Size:167K wuxi china
3dd3040a3.pdf
3dd3040a3.pdf
RNPN 3DD3040 A3 3DD3040 A3 NPN VCEO 450 V IC 2 A Ptot TC=25 30 W
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
