3DD31 - описание и поиск аналогов

 

3DD31. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DD31

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для 3DD31

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD31 даташит

 ..1. Size:138K  lzg
3dd31.pdfpdf_icon

3DD31

TIP31(3DD31) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose Medium power linear switching applications. TIP32(3CD32) Features Complement to TIP32(3CD32). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit Symbol Rating Unit TIP31 40 V 5.

 0.1. Size:151K  crhj
3dd3145 a6.pdfpdf_icon

3DD31

 0.2. Size:153K  crhj
3dd3145 a8.pdfpdf_icon

3DD31

 0.3. Size:153K  crhj
3dd3150 a8.pdfpdf_icon

3DD31

Другие транзисторы: 3DD3020A4, 3DD3020A6, 3DD3040A1, 3DD3040A3, 3DD3040A4, 3DD3040A6, 3DD3040A7, 3DD3055, 2222A, 3DD3145A6, 3DD3145A8, 3DD3150A, 3DD3150A8, 3DD31A, 3DD31B, 3DD31C, 3DD31CT4

 

 

 

 

↑ Back to Top
.