3DD3150A - описание и поиск аналогов

 

3DD3150A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DD3150A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 750 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для 3DD3150A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD3150A даташит

 ..1. Size:346K  lzg
3dd3150a.pdfpdf_icon

3DD3150A

2SC3150A(3DD3150A) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose Switching regulator applications. Features High V , high speed switching, wide ASO. CEO /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 1000 V CBO V 750 V

 0.1. Size:153K  crhj
3dd3150a8.pdfpdf_icon

3DD3150A

 7.1. Size:153K  crhj
3dd3150 a8.pdfpdf_icon

3DD3150A

 9.1. Size:151K  crhj
3dd3145 a6.pdfpdf_icon

3DD3150A

Другие транзисторы: 3DD3040A3, 3DD3040A4, 3DD3040A6, 3DD3040A7, 3DD3055, 3DD31, 3DD3145A6, 3DD3145A8, D965, 3DD3150A8, 3DD31A, 3DD31B, 3DD31C, 3DD31CT4, 3DD3320AN, 3DD3852, 3DD3853

 

 

 

 

↑ Back to Top
.