3DD31CT4 - описание и поиск аналогов

 

3DD31CT4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DD31CT4

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO252

 Аналоги (замена) для 3DD31CT4

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD31CT4 даташит

 ..1. Size:103K  china
 3dd31ct4.pdf pdf_icon

3DD31CT4

LJ2015-46 3DD31CT4 NPN P T =25 1 W tot A I 3 A C I 5 A CM T 150 jm T -55 150 stg V I =1mA 100 V (BR)CBO CB V I =1mA 100 V (BR)CEO CE V I =1mA 5.0 V (BR)EBO EB I V =60V 50 A CEO CB I V =5V 0.1 mA EBO CE I =3A C V 1.2 V C

 8.1. Size:138K  lzg
 3dd31c.pdf pdf_icon

3DD31CT4

TIP31(3DD31) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose Medium power linear switching applications. TIP32(3CD32) Features Complement to TIP32(3CD32). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit Symbol Rating Unit TIP31 40 V 5.

 9.1. Size:151K  crhj
 3dd3145 a6.pdf pdf_icon

3DD31CT4

 9.2. Size:153K  crhj
 3dd3145 a8.pdf pdf_icon

3DD31CT4

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DD31, 3DD3145A6, 3DD3145A8, 3DD3150A, 3DD3150A8, 3DD31A, 3DD31B, 3DD31C, 2SA1015, 3DD3320AN, 3DD3852, 3DD3853, 3DD4, 3DD4013A1D, 3DD4013A6D, 3DD4013B1D, 3DD4020A6D

 

 

 

 

↑ Back to Top
.