Справочник транзисторов. 3DD31CT4

 

Биполярный транзистор 3DD31CT4 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DD31CT4
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO252
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

3DD31CT4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:103K  china
 3dd31ct4.pdf pdf_icon

3DD31CT4

LJ2015-463DD31CT4 NPN P T =25 1 Wtot AI 3 ACI 5 ACMT 150 jmT -55~150 stgV I =1mA 100 V(BR)CBO CBV I =1mA 100 V(BR)CEO CEV I =1mA 5.0 V(BR)EBO EBI V =60V 50 ACEO CBI V =5V 0.1 mAEBO CEI =3ACV 1.2 VC

 8.1. Size:138K  lzg
 3dd31c.pdf pdf_icon

3DD31CT4

TIP31(3DD31) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Medium power linear switching applications. : TIP32(3CD32) Features: Complement to TIP32(3CD32). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit Symbol RatingUnitTIP31 40 V 5.

 9.1. Size:151K  crhj
 3dd3145 a6.pdf pdf_icon

3DD31CT4

NPN R 3DD3145 A6 3DD3145 A6 NPN VCEO 600 V IC 1.3 A Ptot TC=25 50 W

 9.2. Size:153K  crhj
 3dd3145 a8.pdf pdf_icon

3DD31CT4

NPN R 3DD3145 A8 3DD3145 A8 NPN VCEO 700 V IC 1.3 A Ptot W TC=25 60

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: BCX59VII | ECH8503-TL-H | BF321 | MPS2484 | ZTX614 | BD120 | 2SC889

 

 
Back to Top

 


 
.