3DD4 - описание и поиск аналогов

 

3DD4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DD4

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 3DD4

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD4 даташит

 ..1. Size:33K  shaanxi
3dd4.pdfpdf_icon

3DD4

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DD4, 3DD5 NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor Features 1. Using triple-diffusion process.Excellent capacity in anti-burnout.Excellent second breakdown capacity. 2. Good temperature stability.Excellent thermal fatigue capability. 3. Implementation of standards GJB33-85, QZJ840611A, QZJ840611

 0.1. Size:627K  1
3dd4205d.pdfpdf_icon

3DD4

 0.2. Size:591K  jilin sino
3dd4130pl.pdfpdf_icon

3DD4

NPN MIDDLING VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR R 3DD4130PL MAIN CHARACTERISTICS Package I 8A C V 200V CEO P (TO-220/TO-220-S1) 80W C APPLICATIONS Energy-saving light Electronic ballasts Electronic transformer

 0.3. Size:717K  jilin sino
3dd4124dl.pdfpdf_icon

3DD4

Другие транзисторы: 3DD3150A8, 3DD31A, 3DD31B, 3DD31C, 3DD31CT4, 3DD3320AN, 3DD3852, 3DD3853, 2SC2383, 3DD4013A1D, 3DD4013A6D, 3DD4013B1D, 3DD4020A6D, 3DD41, 3DD4513A1D, 3DD4513A6D, 3DD4515A1

 

 

 

 

↑ Back to Top
.