3DD4013A1D - описание и поиск аналогов

 

3DD4013A1D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DD4013A1D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 3DD4013A1D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD4013A1D даташит

 ..1. Size:181K  crhj
3dd4013a1d.pdfpdf_icon

3DD4013A1D

 6.1. Size:151K  crhj
3dd4013a6d.pdfpdf_icon

3DD4013A1D

 7.1. Size:181K  crhj
3dd4013 a1d.pdfpdf_icon

3DD4013A1D

 7.2. Size:182K  crhj
3dd4013 b1d.pdfpdf_icon

3DD4013A1D

Другие транзисторы: 3DD31A, 3DD31B, 3DD31C, 3DD31CT4, 3DD3320AN, 3DD3852, 3DD3853, 3DD4, BC547B, 3DD4013A6D, 3DD4013B1D, 3DD4020A6D, 3DD41, 3DD4513A1D, 3DD4513A6D, 3DD4515A1, 3DD4515A23

 

 

 

 

↑ Back to Top
.