Справочник транзисторов. 3DD4013A1D

 

Биполярный транзистор 3DD4013A1D - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 3DD4013A1D
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 3DD4013A1D

 

 

3DD4013A1D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:181K  crhj
 3dd4013a1d.pdf

3DD4013A1D 3DD4013A1D

NPN R 3DD4013 A1D 3DD4013 A1D VCEO 400 V NPN IC 1.3 A Ptot Ta=25 0.8 W

 6.1. Size:151K  crhj
 3dd4013a6d.pdf

3DD4013A1D 3DD4013A1D

NPN R 3DD4013 A6D 3DD4013 A6D VCEO 400 V NPN IC 1.3 A Ptot Tc=25 40 W

 7.1. Size:181K  crhj
 3dd4013 a1d.pdf

3DD4013A1D 3DD4013A1D

NPN R 3DD4013 A1D 3DD4013 A1D VCEO 400 V NPN IC 1.3 A Ptot Ta=25 0.8 W

 7.2. Size:182K  crhj
 3dd4013 b1d.pdf

3DD4013A1D 3DD4013A1D

NPN R 3DD4013 B1D 3DD4013 B1D VCEO 400 V NPN IC 1.3 A Ptot Ta=25 0.8 W

 7.3. Size:151K  crhj
 3dd4013 a6d.pdf

3DD4013A1D 3DD4013A1D

NPN R 3DD4013 A6D 3DD4013 A6D VCEO 400 V NPN IC 1.3 A Ptot Tc=25 40 W

 7.4. Size:182K  crhj
 3dd4013b1d.pdf

3DD4013A1D 3DD4013A1D

NPN R 3DD4013 B1D 3DD4013 B1D VCEO 400 V NPN IC 1.3 A Ptot Ta=25 0.8 W

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

 

 
Back to Top