Справочник транзисторов. 3DD4013A6D

 

Биполярный транзистор 3DD4013A6D - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 3DD4013A6D
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для 3DD4013A6D

 

 

3DD4013A6D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:151K  crhj
 3dd4013a6d.pdf

3DD4013A6D 3DD4013A6D

NPN R 3DD4013 A6D 3DD4013 A6D VCEO 400 V NPN IC 1.3 A Ptot Tc=25 40 W

 6.1. Size:181K  crhj
 3dd4013a1d.pdf

3DD4013A6D 3DD4013A6D

NPN R 3DD4013 A1D 3DD4013 A1D VCEO 400 V NPN IC 1.3 A Ptot Ta=25 0.8 W

 7.1. Size:181K  crhj
 3dd4013 a1d.pdf

3DD4013A6D 3DD4013A6D

NPN R 3DD4013 A1D 3DD4013 A1D VCEO 400 V NPN IC 1.3 A Ptot Ta=25 0.8 W

 7.2. Size:182K  crhj
 3dd4013 b1d.pdf

3DD4013A6D 3DD4013A6D

NPN R 3DD4013 B1D 3DD4013 B1D VCEO 400 V NPN IC 1.3 A Ptot Ta=25 0.8 W

 7.3. Size:151K  crhj
 3dd4013 a6d.pdf

3DD4013A6D 3DD4013A6D

NPN R 3DD4013 A6D 3DD4013 A6D VCEO 400 V NPN IC 1.3 A Ptot Tc=25 40 W

 7.4. Size:182K  crhj
 3dd4013b1d.pdf

3DD4013A6D 3DD4013A6D

NPN R 3DD4013 B1D 3DD4013 B1D VCEO 400 V NPN IC 1.3 A Ptot Ta=25 0.8 W

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top