Биполярный транзистор 3DD4013A6D - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DD4013A6D
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO126
Аналоги (замена) для 3DD4013A6D
3DD4013A6D Datasheet (PDF)
3dd4013a6d.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
NPN R 3DD4013 A6D 3DD4013 A6D VCEO 400 V NPN IC 1.3 A Ptot Tc=25 40 W
3dd4013a1d.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
NPN R 3DD4013 A1D 3DD4013 A1D VCEO 400 V NPN IC 1.3 A Ptot Ta=25 0.8 W
3dd4013 a1d.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
NPN R 3DD4013 A1D 3DD4013 A1D VCEO 400 V NPN IC 1.3 A Ptot Ta=25 0.8 W
3dd4013 b1d.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
NPN R 3DD4013 B1D 3DD4013 B1D VCEO 400 V NPN IC 1.3 A Ptot Ta=25 0.8 W
3dd4013 a6d.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
NPN R 3DD4013 A6D 3DD4013 A6D VCEO 400 V NPN IC 1.3 A Ptot Tc=25 40 W
3dd4013b1d.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
NPN R 3DD4013 B1D 3DD4013 B1D VCEO 400 V NPN IC 1.3 A Ptot Ta=25 0.8 W
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .