3DD4513A1D - описание и поиск аналогов

 

3DD4513A1D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DD4513A1D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 3DD4513A1D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD4513A1D даташит

 ..1. Size:177K  crhj
 3dd4513a1d.pdf pdf_icon

3DD4513A1D

NPN R 3DD4513 A1D 3DD4513 A1D NPN VCEO 450 V IC 1.3 A Ptot Ta=25 0.8 W

 6.1. Size:148K  crhj
 3dd4513a6d.pdf pdf_icon

3DD4513A1D

NPN R 3DD4513 A6D 3DD4513 A6D VCEO 450 V NPN IC 1.3 A Ptot TC=25 40 W

 7.1. Size:178K  crhj
 3dd4513 a1d.pdf pdf_icon

3DD4513A1D

NPN R 3DD4513 A1D 3DD4513 A1D NPN VCEO 450 V IC 1.3 A Ptot Ta=25 0.8 W

 7.2. Size:149K  crhj
 3dd4513 a6d.pdf pdf_icon

3DD4513A1D

NPN R 3DD4513 A6D 3DD4513 A6D VCEO 450 V NPN IC 1.3 A Ptot TC=25 40 W

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DD3852, 3DD3853, 3DD4, 3DD4013A1D, 3DD4013A6D, 3DD4013B1D, 3DD4020A6D, 3DD41, 431, 3DD4513A6D, 3DD4515A1, 3DD4515A23, 3DD4515A6, 3DD4518A3D, 3DD4518A3D, 3DD4518A6D, 3DD4520A3

 

 

 

 

↑ Back to Top
.