3DD4515A1. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 3DD4515A1
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для 3DD4515A1
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
3DD4515A1 даташит
3dd4515a23.pdf
R NPN 3DD4515 A23 3DD4515 A23 NPN VCEO 450 V IC 1.5 A Ptot Ta=25 0.8 W
3dd4515a6.pdf
NPN R 3DD4515 A6 3DD4515 A6 NPN VCEO 450 V IC 1.5 A Ptot Tc=25 50 W
Другие транзисторы: 3DD4, 3DD4013A1D, 3DD4013A6D, 3DD4013B1D, 3DD4020A6D, 3DD41, 3DD4513A1D, 3DD4513A6D, TIP32C, 3DD4515A23, 3DD4515A6, 3DD4518A3D, 3DD4518A3D, 3DD4518A6D, 3DD4520A3, 3DD4520A4, 3DD4520A6
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc536 datasheet | bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102 | mj15003g | oc75 transistor