3DD505 - описание и поиск аналогов

 

3DD505. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DD505

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 3DD505

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD505 даташит

 ..1. Size:37K  shaanxi
3dd505.pdfpdf_icon

3DD505

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd 11 54 41 Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 2012-8-1 3DD505,BU104 NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor Features 1. Heavy working current.Good temperature stability.Excellent thermal fatigue capability. 2. Implementation of standards GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611 3. Use for Low-speed switch,low frequency power amplify,

 9.1. Size:144K  jilin sino
3dd5036.pdfpdf_icon

3DD505

 9.2. Size:359K  jilin sino
3dd5024p.pdfpdf_icon

3DD505

CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5023 FOR LOW FREQUENCY R 3DD5024P Package MAIN CHARACTERISTICS TO-220HF 1500 V BV CBO 8A I C 3V(max) V CE(sat) 1 s(max) t f APPLICATIONS Horizontal deflection output for color TV. 1 2 3 FEATU

 9.3. Size:368K  jilin sino
3dd5027.pdfpdf_icon

3DD505

Другие транзисторы: 3DD4540A3, 3DD4540A7, 3DD4540A9, 3DD4550A4, 3DD4A, 3DD4G, 3DD5, 3DD50, 2N5551, 3DD507, 3DD51, 3DD510, 3DD511, 3DD512, 3DD515, 3DD53, 3DD56

 

 

 

 

↑ Back to Top
.