Справочник транзисторов. 3DD515

 

Биполярный транзистор 3DD515 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DD515
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 55
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

3DD515 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:23K  shaanxi
3dd515.pdfpdf_icon

3DD515

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DD515NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor Features: 1. Excellent second breakdown capacity. Good temperature stability.Excellent thermal fatigue capability. 2. Implementation of standards: GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611 3. Use for Low-speed switch, low frequency power amplify, power adjustm

 9.1. Size:153K  china
3dd51.pdfpdf_icon

3DD515

3DD50/3DD51 NPN A B C D E F PCM TC=75 1 W ICM 1 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 100 /W IC=0.1A V(BR)CBO ICB=1mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)CEO ICE=1mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V ICBO VCB=20V 0.2 mA

 9.2. Size:36K  shaanxi
3dd510.pdfpdf_icon

3DD515

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd 11:53:31 Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 2012-8-1 3DD510,3DD511,DD04,DD05 NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor Features: 1. Heavy output current.Small saturation voltage drop.Good output character. 2. Implementation of standards: GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611 3. Use for Low-speed switch, power amplify, power adjustme

 9.3. Size:34K  shaanxi
3dd512.pdfpdf_icon

3DD515

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd 11:53:05 Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 2012-8-1 3DD512,3DD515 NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor Features: 1. Excellent second breakdown capacity. Good temperature stability.Excellent thermal fatigue capability. 2. Implementation of standards: GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611 3. Use for Low-speed switch, low frequen

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: BR3DG536K | BFW71 | BU931ZT | KRC405E | 2SC2139 | 2SD1744 | BFQ161

 

 
Back to Top

 


 
.