3DD60 - описание и поиск аналогов

 

3DD60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DD60

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO276AB TO220 TO257

 Аналоги (замена) для 3DD60

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD60 даташит

 ..1. Size:151K  china
 3dd60.pdf pdf_icon

3DD60

3DD59/3DD60 NPN A B C D E F PCM TC=75 25 W ICM 5 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 4 /W IC=0.5A V(BR)CBO ICB=5mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)CEO ICE=5mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)EBO IEB=10mA 5.0 V ICBO VCB=20V 1.0 mA

 0.1. Size:149K  crhj
 3dd6012 a6.pdf pdf_icon

3DD60

 0.2. Size:149K  crhj
 3dd6012a6.pdf pdf_icon

3DD60

 0.3. Size:194K  crhj
 3dd6012 a1.pdf pdf_icon

3DD60

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DD53, 3DD56, 3DD57, 3DD58, 3DD59, 3DD5A, 3DD5G, 3DD6, TIP3055, 3DD6012A6, 3DD62, 3DD63, 3DD64, 3DD65, 3DD66, 3DD68, 3DD69

 

 

 

 

↑ Back to Top
.