3DF05 - описание и поиск аналогов

 

3DF05. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DF05

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO276AB TO220 TO257

 Аналоги (замена) для 3DF05

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DF05 даташит

 ..1. Size:149K  china
 3df05.pdf pdf_icon

3DF05

3DD05(3DF05) NPN A B C D E F G PCM Tc=75 5 W ICM 0.7 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 20 /W IC=0.1A V(BR)CBO ICB=5mA 80 150 200 250 350 450 600 V V(BR)CEO ICE=5mA 50 110 150 200 250 300 400 V V(BR)EBO IEB=1mA 6.0 V A-D

Другие транзисторы: 3DD810, 3DD820, 3DD831, 3DD8E, 3DD9, 3DD99, 3DD9D, 3DD9E, BD135, 3DF1, 3DF5, 3DG100, 3DG1009A, 3DG101, 3DG102, 3DG103, 3DG1047

 

 

 

 

↑ Back to Top
.