3DG112 - описание и поиск аналогов

 

3DG112. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DG112

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для 3DG112

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG112 даташит

 ..1. Size:127K  china
 3dg112.pdf pdf_icon

3DG112

3DG112 NPN A B C D PCM 300 mW ICM 50 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 20 40 20 40 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 15 30 15 30 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.1 A ICEO VCE=10V 0.1 A IEBO VEB=1.5V 0.1 A

 9.1. Size:118K  china
 3dg117b.pdf pdf_icon

3DG112

3DG117B NPN PCM TA=25 300 mW ICM 30 mA Tjm 175 Tstg -55 175 V(BR)CBO ICB=0.1mA 160 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 160 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICEO VCE=10V 0.1 A IC=10mA VCEsat 0.7 V IB=1mA VCE=10V hFE 30 IC=5mA VCE=10V

 9.2. Size:128K  china
 3dg111.pdf pdf_icon

3DG112

3DG111 NPN A B C D PCM 300 mW ICM 50 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 20 40 60 80 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 15 30 45 60 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 5.0 V ICBO VCB=10V 0.1 A ICEO VCE=10V 0.1 A IEBO VEB=1.5V 0.1 A

 9.3. Size:103K  china
 3dg114b.pdf pdf_icon

3DG112

3DG114B NPN PCM TA=25 1000 mW ICM 1000 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 60 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 60 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 5.0 V ICBO VCB=30V 1.0 A ICEO VCE=30V 1.0 A VBEsat 0.5 IC=500mA V IB=50mA VCEsat 1.5 VC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DG100, 3DG1009A, 3DG101, 3DG102, 3DG103, 3DG1047, 3DG110, 3DG111, TIP42, 3DG114B, 3DG1162, 3DG117B, 3DG12, 3DG120, 3DG121, 3DG1213, 3DG1213A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.