Справочник транзисторов. 3DG1318

 

Биполярный транзистор 3DG1318 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DG1318
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 85
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для 3DG1318

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG1318 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:268K  lzg
 3dg1318.pdf pdf_icon

3DG1318

2SC1318(3DG1318) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Audio frequency power amplifier and driver. : V , 2SA720(3CG720)/Features: Low V ,complementary CE(sat)CE(sat)pair with 2SA720(3CG720). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Ratin

 8.1. Size:197K  foshan
 3dg1317.pdf pdf_icon

3DG1318

2SC1317(3DG1317) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :/Purpose: Audio frequency power amplifier and driver. : V , 2SA719(3CG719)/Features: Low V ,complementary CE(sat) CE(sat)pair with 2SA719(3CG719). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating U

 9.1. Size:121K  china
 3dg130.pdf pdf_icon

3DG1318

3DG130 NPN A B C D PCM 700 mW ICM 300 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 40 60 40 60 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 30 45 30 45 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.5 A ICEO VCE=10V 1.0 A IEBO VEB=1.5V 0.5 A

Другие транзисторы... 3DG120 , 3DG121 , 3DG1213 , 3DG1213A , 3DG122 , 3DG123S , 3DG130 , 3DG1317 , D965 , 3DG140 , 3DG1417 , 3DG142 , 3DG1473 , 3DG1473A , 3DG150 , 3DG160 , 3DG161 .

History: SRA2203EF | FGT3055

 

 
Back to Top

 


 
.