Справочник транзисторов. 3DG1906

 

Биполярный транзистор 3DG1906 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 3DG1906

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 19 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40

Корпус транзистора: TO92

Аналоги (замена) для 3DG1906

 

 

3DG1906 Datasheet (PDF)

1.1. 3dg1906.pdf Size:236K _china

3DG1906
3DG1906

2SC1906(3DG1906) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于甚高频放大,混频,本机振荡。 Purpose: VHF amplifier, mixer, local osciliator. 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 19 V CEO V 2.0 V EBO I 50 mA C I -50 mA E P 300 mW C T 150 ℃ j T -55~150 ℃

5.1. 3dg19a.pdf Size:107K _china

3DG1906

3DG19A 型 NPN 硅高频小功率晶体管 参数符号 测试条件 规范值 单位 PCM TA=25℃ 250 mW 极 ICM 600 mA 限 Tjm 150 ℃ 值 Tstg -65~150 ℃ V(BR)CBO ICB=0.1mA ≥180 V V(BR)CEO ICE=0.1mA ≥160 V V(BR)EBO IEB=0.1mA ≥6.0 V ICBO VCB=120V ≤0.05 μA 直 流 IEBO VCE=4V ≤0.05 μA 参 IC=50mA 数 VCEsat ≤0.2 V IB=5mA VCE=5V hFE ≥80 I

5.2. 3dg1959m.pdf Size:227K _china

3DG1906
3DG1906

 2SC1959M(3DG1959M) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于音频小功率放大,激励级放大及开关电路。/Purpose: Audio frequency low power amplifier,driver stage amplifier and switching applications. 特征:极好的 h 特性,与 2SA562M(3CG562M)互补。 FE Features: Excellent h Linearity, complementary pair with 2SA562M(3CG562M). FE 极限参数

 5.3. 3dg1959.pdf Size:208K _china

3DG1906
3DG1906

2SC1959(3DG1959) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于音频小功率放大,激励级放大及开关电路。/Purpose: Audio frequency power amplifier, driver stage amplifier and switching applications. 特征:极好的 h 特性,可得 1W 输出,与 2SA562TM(3CG562TM)互补/Features: Excellent h linearity FE FE 1 Watt output amplifier applications, complemen

5.4. 3dg1921.pdf Size:210K _china

3DG1906
3DG1906

2SC1921(3DG1921) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于高频,高压放大,视频输出。 Purpose: High frequency high voltage amplifier, video output. 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit V 250 V CBO V 200 V CEO V 5.0 V EBO I 50 mA C P 600 mW C T 150 ℃ j T -55~150 ℃ st

 5.5. 3dg1923.pdf Size:147K _china

3DG1906
3DG1906

2SC1923(3DG1923) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于高频放大,FM 高放、混频,中放电路。 Purpose: High frequency, FM,RF,MIX,IF amplifier applications. 特征:传输电容小,低噪声系数。 Features: Small reverse transfer capacitance, low noise figure. 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Ratin

Другие транзисторы... 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2N32 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N4401 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 2N3208 , 2N3209 , 2N3209AQF .

 

 
Back to Top

 


3DG1906
  3DG1906
  3DG1906
 

social 

Список транзисторов

Обновления

BJT: CHDTC114EKPT | CE1A3Q | 2SC6089 | 2SC4714 | 2SD1047C | 2SB817C | FW26025A1 | 2T665B9 | 2T665A9 | MJ13001A | HSC2682 | MRF660 | MP1620 | HLD133D | BFR360F | AV8050S | 3DD5027 | 3DD2901 | 3DD2102 | 3DD313 |

 

 

 

 

Back to Top