Биполярный транзистор 3DG1906 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DG1906
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 19 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO92
3DG1906 Datasheet (PDF)
3dg1906.pdf
2SC1906(3DG1906) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :,, Purpose: VHF amplifier, mixer, local osciliator. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 19 V CEO V 2.0 V EBO I 50 mA C I -50 mA E P 300 mW CT 150 j T -55150
3dg19a.pdf
3DG19A NPN PCM TA=25 250 mW ICM 600 mA Tjm 150 Tstg -65~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 180 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 160 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 6.0 V ICBO VCB=120V 0.05 A IEBO VCE=4V 0.05 A IC=50mA VCEsat 0.2 V IB=5mA VCE=5V hFE 80 I
3dg1959.pdf
2SC1959(3DG1959) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :,/Purpose: Audio frequency power amplifier, driver stage amplifier and switching applications. : h , 1W , 2SA562TM(3CG562TM)/Features: Excellent h linearity FEFE 1 Watt output amplifier applications, complemen
3dg1959m.pdf
2SC1959M(3DG1959M) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :,/Purpose: Audio frequency low power amplifier,driver stage amplifier and switching applications. : h , 2SA562M(3CG562M) FEFeatures: Excellent h Linearity, complementary pair with 2SA562M(3CG562M). FE
3dg1923.pdf
2SC1923(3DG1923) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :,FM , Purpose: High frequency, FM,RF,MIX,IF amplifier applications. :, Features: Small reverse transfer capacitance, low noise figure. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Ratin
3dg1921.pdf
2SC1921(3DG1921) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :,, Purpose: High frequency high voltage amplifier, video output. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 250 V CBO V 200 V CEO V 5.0 V EBO I 50 mA C P 600 mW C T 150 j T -55150 st
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS | HSA1037AKR | HSA1037AKQ