Справочник транзисторов. 3DG2216

 

Биполярный транзистор 3DG2216 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 3DG2216

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40

Корпус транзистора: TO92

Аналоги (замена) для 3DG2216

 

 

3DG2216 Datasheet (PDF)

1.1. 3dg2216m.pdf Size:372K _china

3DG2216
3DG2216

2SC2216M(3DG2216M) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于电视机末级图像中放。 Purpose: TV final picture IF amplifier applications. 特点:高增益,h 线性好。 FE Features: High gain, good h linearity. FE 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit V 50 V CBO V 45 V CEO V 4.0 V EB

1.2. 3dg2216.pdf Size:209K _china

3DG2216
3DG2216

2SC2216(3DG2216) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于电视机末级图像中放。 Purpose: TV final picture IF amplifier applications. 特点:高增益,h 线性好。 FE Features: High gain, good h linearity. FE 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit V 50 V CBO V 45 V CEO V 4.0 V EBO

 4.1. 3dg2219.pdf Size:109K _china

3DG2216

3DG2219(2N2219)型 NPN 硅高频小功率晶体管 参数符号 测试条件 规范值 单位 PCM TA=25℃ 800 mW ICM 800 mA Tjm 150 ℃ Tstg -55~150 ℃ V(BR)CBO ICB=10µA ≥75 V V(BR)CEO ICE=10mA ≥40 V 极 V(BR)EBO IEB=10µA ≥6.0 V 限 值 ICBO VCB=60V ≤10 nA IEBO VCB=3.0V ≤10 nA IC=0.5A VCEsat ≤1.0 V IB=0.05A VCE=10V hFE 100~300 IC=0.15A

4.2. 3dg2218a.pdf Size:145K _china

3DG2216

3DG2218A 型 NPN 硅高频小功率开关晶体管 参数符号 测试条件 规范值 单位 PCM TA=25℃ 800 mW 极 ICM 800 mA 限 Tjm 175 ℃ 值 Tstg -55~150 ℃ V(BR)CEO ICE=10mA ≥50 V V(BR)CBO ICB=10μ A ≥75 V V(BR)EBO IEB=10μ A ≥6 V ICEO VCE=50V ≤10 μA 直 ICBO VCB=60V ≤10 μA 流 参 IEBO VEB=6V ≤10 μA 数 VBEsat ≤2.0 V IC=500mA IB=5

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 431 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top