Биполярный транзистор 3DG2881A
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DG2881A
Маркировка: HCO_HCY
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора:
SOT89
3DG2881A
Datasheet (PDF)
..1. Size:373K foshan
3dg2881a.pdf 2SC2881A(3DG2881A) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: power amplifier applications. ,, 2SA1201A(3CG1201A) Features: High f , high V , small flat package, complementary pair with 2SA1201A(3CG1201A). T CEO/Absolute maximum ratings(Ta=25)
7.1. Size:454K foshan
3dg2881.pdf 2SC2881(3DG2881) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: power amplifier applications. ,, 2SA1201(3CG1201) Features: High f , high V , small flat package, complementary pair with 2SA1201(3CG1201). T CEO/Absolute maximum ratings(Ta=25)
8.1. Size:301K foshan
3dg2884.pdf 2SC2884(3DG2884) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Audio frequency amplifier applications. : h , 1W , 2SA1204(3CG1204) FE,Features: High h , for out stage of 1 watts amplifier, complementary to 2SA1204(3CG1204). FE/Absolute maximum ratings(Ta=25) Sym
9.1. Size:305K foshan
3dg2812.pdf 2SC2812(3DG2812) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Low frequency general-purpose amplifier applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 55 V CBO V 50 V CEO V 5.0 V EBO I 150 mA C I 300 mA cp P 200 mW C T 150 j T -55150
9.2. Size:200K lzg
3dg2839.pdf 2SC2839(3DG2839) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency general amplifier applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 20 V CEO V 5.0 V EBO I 30 mA C P (Ta=25) 150 mW C T 150 j T -55150 stg
9.3. Size:262K lzg
3dg2873.pdf 2SC2873(3DG2873) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Power amplifier and switching applications. : , 2SA1213(3CG1213) Features: Low collector saturation voltage, High speed switching time, small flat package, Complementary to 2SA1213(3CG1213).
9.4. Size:264K lzg
3dg2878.pdf 2SC2878(3DG2878) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :/Purpose: For muting and switching applications. :, /Features: High reverse h reverse: FEh =150(V =-2V,I =-2mA),low on resistance. FE CE C/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating
Другие транзисторы... 2SA1771
, 2SA178
, 2SA1790
, 2SA1791
, 2SA1792
, 2SA1793
, 2SA1794
, 2SA1795
, BC557
, 2SA1799
, 2SA17H
, 2SA18
, 2SA180
, 2SA1800
, 2SA1800O
, 2SA1800R
, 2SA1800Y
.