Справочник транзисторов. 3DG3330

 

Биполярный транзистор 3DG3330 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 3DG3330

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора: TO92S

Аналоги (замена) для 3DG3330

 

 

3DG3330 Datasheet (PDF)

1.1. 3dg3330.pdf Size:291K _china

3DG3330
3DG3330

2SC3330(3DG3330) 硅 NPN 半导体三极管/SILION NPN TRANSISTOR 用途:用于低频、高频放大电路。 Purpose: Capable of being used in the low frequency to high frequency range. 特点:电流容量大,有宽阔的安全工作区/Features: Large current capacity and wide ASO. 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit V

4.1. 3dg3332.pdf Size:112K _china

3DG3330

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors 3DG3332 TRANSISTOR (NPN) TO – 92 FEATURES 1.EMITTER Low Current High Voltage 2. COLLECTOR 3.BASE APPLICATIONS Video Telephony Professional Communication Equipment MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 180

 5.1. 3dg3399.pdf Size:111K _china

3DG3330

3DG3399(2SC3399)型 NPN 硅高频小功率晶体管 参数符号 测试条件 规范值 单位 PCM TA=25℃ 300 mW 极 ICM 100 mA 限 Tjm 150 ℃ 值 Tstg -55~150 ℃ V(BR)CBO ICB=0.01m ≥50 V A V(BR)CEO ICE=0.1mA ≥50 V V(BR)EBO IEB=0.1mA ≥10 V ICBO VCB=40V ≤0.1 μA 直 ICEO VCB=40V ≤0.5 μA 流 IEBO VEB=5V ≤80 μA 参 数 IC=5mA VCEsat ≤0.3 V

5.2. 3dg3326.pdf Size:314K _china

3DG3330
3DG3330

2SC3326(3DG3326) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于开关/Purpose: For muting and switching applications. 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit V 50 V CBO V 20 V CEO V 12 V EBO I 300 mA C I 60 mA B P 150 mW C T 150 ℃ j T -55~150 ℃ stg 电性能参数/Electrical ch

 5.3. 3dg3355.pdf Size:174K _china

3DG3330
3DG3330

2SC3355(3DG3355) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途: 用于甚高频、超高频和有线电视频段的低噪声放大。 Purpose: low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band applications. 特点:低噪声和高功率增益。 Features: Low noise and high power gain. 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating U

5.4. 3dg3357.pdf Size:202K _china

3DG3330
3DG3330

2SC3357(3DG3357) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途: 用于甚高频、超高频和有线电视频段的低噪声放大。 Purpose: low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band applications. 特点:低噪声,高增益,小封装功耗大。 Features: Low noise and high gain, large P in small package. C 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符

 5.5. 3dg3356.pdf Size:161K _china

3DG3330
3DG3330

2SC3356(3DG3356) 硅 NPN 半导体三极管/SILION NPN TRANSISTOR 用途:用于甚高频、超高频和有线电视频段的低噪声放大。 Purpose: low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band applications. 特点:低噪声和高功率增益。 Features: Low noise and high power gain. 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Uni

Другие транзисторы... 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2N2219 , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 , 2SA1815-5 , 2SA182 , 2SA1822 , 2SA183 .

 

 
Back to Top