Биполярный транзистор 2N1266 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N1266
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.08 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.3 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 11
Корпус транзистора: TO22
Другие транзисторы... 2N1262 , 2N1262A , 2N1263 , 2N1263A , 2N1264 , 2N1264-13 , 2N1265 , 2N1265-5 , TIP31C , 2N1267 , 2N1268 , 2N1269 , 2N127 , 2N1270 , 2N1271 , 2N1272 , 2N1273 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050