3DG8050A - описание и поиск аналогов

 

3DG8050A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DG8050A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 9 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 85

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 3DG8050A

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG8050A даташит

 ..1. Size:189K  lzg
 3dg8050a.pdf pdf_icon

3DG8050A

S8050A(3DG8050A) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose Amplifier of portable radios in class B push-pull operation. P I , S8550A(3CG8550A) C C Features High P ,I , complementary pair with S8550A(3CG8550A). C C /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating

 7.1. Size:553K  jilin sino
 3dg8050.pdf pdf_icon

3DG8050A

 7.2. Size:120K  china
 3dg8050.pdf pdf_icon

3DG8050A

3DG8050 NPN PCM TA=25 330 mW ICM 300 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB 0.1mA 30 V V(BR)CEO ICE 0.1mA 25 V V(BR)EBO IEB 0.1mA 6.0 V ICBO VCB=20V 0.1 A VBEsat 1.2 V IC=50mA IB=5mA VCEsat 0.5 V VCE=1V hFE 20 100 IC=0.

 7.3. Size:281K  foshan
 3dg8050m.pdf pdf_icon

3DG8050A

S8050M(3DG8050M) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR /Purpose Power amplifier applications. S8550M(3CG8550M) /Features Complementary pair with S8550M(3CG8550M). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 40 V CBO V 25 V CEO V 6.0 V EBO I 800 mA C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 3DG6 , 3DG639 , 3DG6520 , 3DG718A , 3DG720 , 3DG752TM , 3DG8 , 3DG8050 , BC337 , 3DG8050M , 3DG8051 , 3DG817 , 3DG82 , 3DG847B , 3DG9013 , 3DG9014 , 3DG930 .

History: MPSW45AG

 

 

 


 
↑ Back to Top
.