Справочник транзисторов. 3DK024E

 

Биполярный транзистор 3DK024E - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 3DK024E

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30

Корпус транзистора: TO18

Аналоги (замена) для 3DK024E

 

 

3DK024E Datasheet (PDF)

1.1. 3dk024e.pdf Size:152K _china

3DK024E

3DK024E 型 NPN 硅大功率开关晶体管 参数符号 测试条件 规范值 单位 PCM Ta=25℃ 5 W 极 ICM 2 A 限 Tjm 150 ℃ 值 Tstg -55~150 ℃ V(BR)CBO ICB=2mA ≥150 V V(BR)CEO ICE=2mA ≥150 V V(BR)EBO IEB=2mA ≥5.0 V ICBO VCB=150V ≤0.2 mA 直 VBEsat IC=1A ≤1.5 流 V IB=0.1A VCEsat ≤0.5 参 VCE=5V 数 hFE ≥30 IC=0.75A IC=1A tr

5.1. 3dk023f.pdf Size:153K _china

3DK024E

3DK023F 型 NPN 硅大功率开关晶体管 参数符号 测试条件 规范值 单位 PCM Ta=25℃ 1.0 W 极 ICM 1.0 A 限 Tjm 150 ℃ 值 Tstg -55~150 ℃ V(BR)CBO ICB=2mA ≥250 V V(BR)CEO ICE=2mA ≥200 V V(BR)EBO IEB=4mA ≥6.0 V ICBO VCB=140V ≤1 μA 直 VBEsat IC=750mA ≤1.2 流 V IB=75mA VCEsat ≤0.5 参 VCE=5V 数 hFE ≥30 IC=0.5A IC=1A t

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top

 


3DK024E
  3DK024E
  3DK024E
 

social 

Список транзисторов

Обновления

BJT: CHDTC114EKPT | CE1A3Q | 2SC6089 | 2SC4714 | 2SD1047C | 2SB817C | FW26025A1 | 2T665B9 | 2T665A9 | MJ13001A | HSC2682 | MRF660 | MP1620 | HLD133D | BFR360F | AV8050S | 3DD5027 | 3DD2901 | 3DD2102 | 3DD313 |

 

 

 

 

Back to Top