Справочник транзисторов. 3DK104H

 

Биполярный транзистор 3DK104H - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 3DK104H

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25

Корпус транзистора: TO18

Аналоги (замена) для 3DK104H

 

 

3DK104H Datasheet (PDF)

1.1. 3dk104h.pdf Size:169K _china

3DK104H

3DK104H 型 NPN 硅小功率开关晶体管 参数符号 测试条件 规范值 单位 PCM TC=25℃ 700 mW 极 ICM 400 mA 限 Tjm 175 ℃ 值 Tstg -55~150 ℃ V(BR)CBO ICB=0.1mA ≥100 V V(BR)CEO ICE=0.1mA ≥60 V V(BR)EBO IEB=0.1mA ≥5 V ICBO VCB=10V ≤0.1 μA 直 ICEO VCE=10V ≤0.1 μA 流 参 IEBO VEB=4V ≤0.1 μA 数 VBEsat ≤0.9 IC=30mA V IB=3mA

4.1. 3dk104.pdf Size:32K _china

3DK104H

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DK104, 3DK105 NPN Silicon High Frequency Moddle Power Switch Transistor Features: 1. Using epitaxy planar technology structure. High working frequency. Metallic packaging. 2. Small volume, light weight, easy installation. 3. Use for high frequency oscillation and high frequency switch, high frequency sma

 5.1. 3dk100.pdf Size:182K _china

3DK104H

3DK100 型 NPN 硅小功率开关晶体管 规范值 参数符号 测试条件 单位 A B C PCM TC=25℃ 100 mW 极 ICM 30 mA 限 Tjm 175 ℃ 值 Tstg -55~150 ℃ V(BR)CBO ICB=0.1mA ≥20 ≥20 ≥15 V V(BR)CEO ICE=0.1mA ≥15 ≥15 ≥10 V V(BR)EBO IEB=0.1mA ≥4.0 V ICBO VCB=6V ≤0.1 μA 直 ICEO VCE=6V ≤0.1 μA 流 参 IEBO VEB=1.5V ≤0.1 μA 数 VBEs

5.2. 3dk102.pdf Size:180K _china

3DK104H

3DK102 型 NPN 硅小功率开关晶体管 规范值 参数符号 测试条件 单位 A B C D PCM TC=25℃ 300 mW 极 ICM 50 mA 限 Tjm 175 ℃ 值 Tstg -55~150 ℃ V(BR)CBO ICB=0.1mA ≥20 ≥30 ≥20 ≥30 V V(BR)CEO ICE=0.1mA ≥15 ≥25 ≥15 ≥25 V V(BR)EBO IEB=0.1mA ≥4.0 V ICBO VCB=10V ≤0.1 μA 直 ICEO VCE=10V ≤0.1 μA 流 参 IEBO VEB=1.5V ≤0.1

 5.3. 3dk103.pdf Size:180K _china

3DK104H

3DK102 型 NPN 硅小功率开关晶体管 规范值 参数符号 测试条件 单位 A B C D PCM TC=25℃ 300 mW 极 ICM 50 mA 限 Tjm 175 ℃ 值 Tstg -55~150 ℃ V(BR)CBO ICB=0.1mA ≥20 ≥30 ≥20 ≥30 V V(BR)CEO ICE=0.1mA ≥15 ≥25 ≥15 ≥25 V V(BR)EBO IEB=0.1mA ≥4.0 V ICBO VCB=10V ≤0.1 μA 直 ICEO VCE=10V ≤0.1 μA 流 参 IEBO VEB=1.5V ≤0.1

5.4. 3dk105.pdf Size:170K _china

3DK104H

3DK105 型 NPN 硅小功率开关晶体管 规范值 参数符号 测试条件 单位 A B C D PCM TC=25℃ 700 mW 极 ICM 500 mA 限 Tjm 175 ℃ 值 Tstg -55~150 ℃ V(BR)CBO ICB=0.1mA ≥40 ≥60 ≥40 ≥60 V V(BR)CEO ICE=0.1mA ≥30 ≥45 ≥30 ≥45 V V(BR)EBO IEB=0.1mA ≥4.0 V ICBO VCB=20V ≤0.5 μA 直 ICEO VCE=20V ≤1.0 μA 流 参 IEBO VEB=4V ≤1.0

 5.5. 3dk108.pdf Size:169K _china

3DK104H

3DK108 型 NPN 硅小功率开关晶体管 规范值 参数符号 测试条件 单位 A B C D PCM TC=25℃ 1000 mW 极 ICM 1000 mA 限 Tjm 175 ℃ 值 Tstg -55~150 ℃ V(BR)CBO ICB=0.1mA ≥40 ≥60 ≥40 ≥60 V V(BR)CEO ICE=0.1mA ≥30 ≥45 ≥30 ≥45 V V(BR)EBO IEB=0.1mA ≥4.0 V ICBO VCB=20V ≤0.5 μA 直 ICEO VCE=20V ≤1.0 μA 流 参 IEBO VEB=1.5V ≤1

5.6. 3dk106.pdf Size:170K _china

3DK104H

3DK106 型 NPN 硅小功率开关晶体管 规范值 参数符号 测试条件 单位 A B C D PCM TC=25℃ 700 mW 极 ICM 600 mA 限 Tjm 175 ℃ 值 Tstg -55~150 ℃ V(BR)CBO ICB=0.1mA ≥40 ≥60 ≥40 ≥60 V V(BR)CEO ICE=0.1mA ≥30 ≥45 ≥30 ≥45 V V(BR)EBO IEB=0.1mA ≥4.0 V ICBO VCB=20V ≤0.5 μA 直 ICEO VCE=20V ≤1.0 μA 流 参 IEBO VEB=1.5V ≤1.0

5.7. 3dk101.pdf Size:181K _china

3DK104H

3DK101 型 NPN 硅小功率开关晶体管 规范值 参数符号 测试条件 单位 A B C PCM TC=25℃ 200 mW 极 ICM 40 mA 限 Tjm 175 ℃ 值 Tstg -55~150 ℃ V(BR)CBO ICB=0.1mA ≥30 ≥30 ≥20 V V(BR)CEO ICE=0.1mA ≥20 ≥25 ≥15 V V(BR)EBO IEB=0.1mA ≥4.0 V ICBO VCB=10V ≤0.1 μA 直 ICEO VCE=10V ≤0.1 μA 流 参 IEBO VEB=1.5V ≤0.1 μA 数 VB

5.8. 3dk10.pdf Size:25K _china

3DK104H

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DK10 NPN Silicon High Frequency Middle Power Transistor Features: 1. Using epitaxy planar technology structure. High working frequency. Metallic packaging. 2. Small volume, light weight, easy installation. 3. Use for high frequency oscillation, high frequency small signal amplification circuit. 4. Quali

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top

 


3DK104H
  3DK104H
  3DK104H
 

social 

Список транзисторов

Обновления

BJT: CHDTC114EKPT | CE1A3Q | 2SC6089 | 2SC4714 | 2SD1047C | 2SB817C | FW26025A1 | 2T665B9 | 2T665A9 | MJ13001A | HSC2682 | MRF660 | MP1620 | HLD133D | BFR360F | AV8050S | 3DD5027 | 3DD2901 | 3DD2102 | 3DD313 |

 

 

 

 

Back to Top