3DK2222 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

3DK2222 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 3DK2222
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для 3DK2222

 

3DK2222 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:164K  china
 3dk2222.pdf pdf_icon

3DK2222

3DK2222 NPN PCM TC=25 500 mW ICM 800 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 60 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 30 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 5.0 V ICBO VCB=10V 1.0 A ICEO VCB=10V 2.0 A IEBO VEB=4V 1.0 A VBEsat 1.2 IC=200mA V IB=20

 0.1. Size:954K  lge
 3dk2222a.pdf pdf_icon

3DK2222

3DK2222A(NPN) TO-92 Bipolar Transistors TO-92 1. EMITTER 4.45 2. BASE 5.21 3. COLLECTOR 4.32 2.92 5.33 Features MIN Epitaxial planar die construction 3.43 MIN MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 2.41 2.67 Symbol Parameter Value Units 3.18 2.03 4.19 VCBO Collector-Base Voltage 75 V 2.67 1.14 VCEO Collector-Emitter Voltage 40 V 1.40 2.03 2.67

 0.2. Size:997K  lge
 3dk2222a sot-23.pdf pdf_icon

3DK2222

3DK2222A SOT-23 Transistor(NPN) 1. BASE SOT-23 2.EMITTER 3.COLLECTOR Features Epitaxial planar die construction Complementary PNP Type available(MMBT2907A) MARKING 1P1 Dimensions in inches and (millimeters) MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 75 V VCEO 40 V Collector-Emitter Voltage VEBO 6 V

Другие транзисторы... 3DK106 , 3DK108 , 3DK11 , 3DK14 , 3DK14I , 3DK2 , 3DK209 , 3DK21 , 8050 , 3DK28 , 3DK29 , 3DK29-II , 3DK3039 , 3DK32 , 3DK3767 , 3DK3879 , 3DK3B .

 

 
Back to Top

 


 
.