Справочник транзисторов. 3DK405

 

Биполярный транзистор 3DK405 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 3DK405
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 3DK405

 

 

3DK405 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:166K  china
3dk405.pdf

3DK405

3DK405 NPN A B C D E F G PCM TC=25 200 W ICM 30 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 0.75 /W IC=5A V(BR)CBO ICB=1mA 100 150 200 250 300 350 400 V V(BR)CEO ICE=1mA 100 150 200 250 300 350 400 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V ICBO

 9.1. Size:117K  china
3dk40b.pdf

3DK405

3DK40B NPN PCM TC=25 225 W ICM 15 A Tjm 175 Tstg -55~175 V(BR)CBO ICB=2mA 50 V V(BR)CEO ICE=2mA 50 V V(BR)EBO IEB=2mA 5.0 V ICBO VCB=50V 1.5 mA VBEsat 1.5 IC=10A V IB=1A VCEsat 0.8 VCE=3V hFE 20 IC=10A tr 0.9

 9.2. Size:201K  china
3dk402.pdf

3DK405

3DK402 NPN A B C D E PCM TC=25 50 W ICM 5 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V RthJC 3 /W IC=1.5A V(BR)CBO ICB=1mA 150 220 250 300 350 V V(BR)CEO ICE=1mA 150 220 250 300 350 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V ICBO VCB=20V 0.5 mA ICEO

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 2SC945 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top