3DK405 - описание и поиск аналогов

 

3DK405. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DK405

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 3DK405

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DK405 даташит

 ..1. Size:166K  china
 3dk405.pdf pdf_icon

3DK405

3DK405 NPN A B C D E F G PCM TC=25 200 W ICM 30 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 0.75 /W IC=5A V(BR)CBO ICB=1mA 100 150 200 250 300 350 400 V V(BR)CEO ICE=1mA 100 150 200 250 300 350 400 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V ICBO

 9.1. Size:117K  china
 3dk40b.pdf pdf_icon

3DK405

3DK40B NPN PCM TC=25 225 W ICM 15 A Tjm 175 Tstg -55 175 V(BR)CBO ICB=2mA 50 V V(BR)CEO ICE=2mA 50 V V(BR)EBO IEB=2mA 5.0 V ICBO VCB=50V 1.5 mA VBEsat 1.5 IC=10A V IB=1A VCEsat 0.8 VCE=3V hFE 20 IC=10A tr 0.9

 9.2. Size:201K  china
 3dk402.pdf pdf_icon

3DK405

3DK402 NPN A B C D E PCM TC=25 50 W ICM 5 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V RthJC 3 /W IC=1.5A V(BR)CBO ICB=1mA 150 220 250 300 350 V V(BR)CEO ICE=1mA 150 220 250 300 350 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V ICBO VCB=20V 0.5 mA ICEO

Другие транзисторы: 3DK29-II, 3DK3039, 3DK32, 3DK3767, 3DK3879, 3DK3B, 3DK4, 3DK402, C3198, 3DK40B, 3DK50, 3DK5886, 3DK5E, 3DK7, 3DK8, 3DK9, 3N1151GP

 

 

 

 

↑ Back to Top
.