3N13003GP - описание и поиск аналогов

 

3N13003GP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3N13003GP

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для 3N13003GP

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3N13003GP даташит

 ..1. Size:349K  chenmko
 3n13003gp.pdf pdf_icon

3N13003GP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD 3N SMALL FLAT NPN Epitaxial Transistor VOLTAGE 0 Volts CURRENT Ampere APPLICATION * Power driver and Dc to DC convertor . FEATURE * Small flat package. (TO-126) TO-126 * PC= 1.5 W (mounted on ceramic substrate). * High saturation current capability. .114(2.90) .307(7.80) .059(1.50) .098(2.50) .291(7.40) CONSTRUCTION .043(1.10) .161(4.1

Другие транзисторы: 3DK40B, 3DK50, 3DK5886, 3DK5E, 3DK7, 3DK8, 3DK9, 3N1151GP, 2N4401, 3N440GP, 3N772GP, 3N882GP, 3RA2114, 3SC2655, 3STF1640, 3STL2540, PH0814-40

 

 

 

 

↑ Back to Top
.