Справочник транзисторов. 3N13003GP

 

Биполярный транзистор 3N13003GP - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 3N13003GP
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8
   Корпус транзистора: TO126
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

 

3N13003GP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:349K  chenmko
3n13003gp.pdf pdf_icon

3N13003GP
3N13003GP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD3N SMALL FLAT NPN Epitaxial Transistor VOLTAGE 0 Volts CURRENT AmpereAPPLICATION* Power driver and Dc to DC convertor .FEATURE* Small flat package. (TO-126)TO-126* PC= 1.5 W (mounted on ceramic substrate).* High saturation current capability..114(2.90).307(7.80).059(1.50).098(2.50).291(7.40)CONSTRUCTION .043(1.10).161(4.1

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

 

 
Back to Top