3N882GP - описание и поиск аналогов

 

3N882GP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3N882GP

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 55 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для 3N882GP

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3N882GP даташит

 ..1. Size:93K  chenmko
 3n882gp.pdf pdf_icon

3N882GP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD 3N882GP SMALL FLAT NPN Epitaxial Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 3 Ampere APPLICATION * Power driver and Dc to DC convertor . FEATURE * Small flat package. (TO-126) TO-126 * Low saturation voltage VCE(sat)=0.5V(max.)(IC=2A) * High speed switching time tstg= 1.0uSec (typ.) .114(2.90) .307(7.80) * PC= 1.5 W (mounted on ceramic substrate). .059(1.5

Другие транзисторы: 3DK5E, 3DK7, 3DK8, 3DK9, 3N1151GP, 3N13003GP, 3N440GP, 3N772GP, NJW0281G, 3RA2114, 3SC2655, 3STF1640, 3STL2540, PH0814-40, PH1090-15L, PH1090-175L, PH1090-350L

 

 

 

 

↑ Back to Top
.