PH1090-700B - описание и поиск аналогов

 

PH1090-700B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PH1090-700B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2900 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 70 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1090 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 7.5

Корпус транзистора: CERAMIC

 Аналоги (замена) для PH1090-700B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PH1090-700B даташит

 ..1. Size:193K  macom
ph1090-700b.pdfpdf_icon

PH1090-700B

PH1090-700B Avionics Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 700W, 1030-1090 MHz, 32 s Pulse, 2% Duty Released, 30 May 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system I

 6.1. Size:147K  macom
ph1090-75l.pdfpdf_icon

PH1090-700B

PH1090-75L Avionics Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 75W, 1030-1090 MHz, 250 s Pulse, 10% Duty Released, 30 May 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system I

 7.1. Size:142K  macom
ph1090-55s.pdfpdf_icon

PH1090-700B

PH1090-550S Avionics Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 550W, 1090 MHz, 10 s Pulse, 1% Duty Released, 30 May 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Intern

 7.2. Size:147K  macom
ph1090-350l.pdfpdf_icon

PH1090-700B

PH1090-350L Avionics Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 350W, 1090 MHz, 250 s Pulse, 10% Duty Released, 30 May 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Inte

Другие транзисторы: 3SC2655, 3STF1640, 3STL2540, PH0814-40, PH1090-15L, PH1090-175L, PH1090-350L, PH1090-55S, 2SC2383, PH1090-75L, PH1113-100, PH1214-0.85L, PH1214-100EL, PH1214-110M, PH1214-12M, PH1214-220M, PH1214-25L

 

 

 

 

↑ Back to Top
.