PH1090-700B. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: PH1090-700B
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2900 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 70 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1090 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 7.5
Корпус транзистора: CERAMIC
Аналоги (замена) для PH1090-700B
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
PH1090-700B даташит
ph1090-700b.pdf
PH1090-700B Avionics Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 700W, 1030-1090 MHz, 32 s Pulse, 2% Duty Released, 30 May 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system I
ph1090-75l.pdf
PH1090-75L Avionics Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 75W, 1030-1090 MHz, 250 s Pulse, 10% Duty Released, 30 May 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system I
ph1090-55s.pdf
PH1090-550S Avionics Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 550W, 1090 MHz, 10 s Pulse, 1% Duty Released, 30 May 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Intern
ph1090-350l.pdf
PH1090-350L Avionics Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 350W, 1090 MHz, 250 s Pulse, 10% Duty Released, 30 May 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Inte
Другие транзисторы: 3SC2655, 3STF1640, 3STL2540, PH0814-40, PH1090-15L, PH1090-175L, PH1090-350L, PH1090-55S, 2SC2383, PH1090-75L, PH1113-100, PH1214-0.85L, PH1214-100EL, PH1214-110M, PH1214-12M, PH1214-220M, PH1214-25L
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n5884 | bc640 | 2sc756 | oc44 transistor datasheet | 2sa1210 | 2sc3792 | mps2907a transistor equivalent | 2sc1626






