PH2729-25M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PH2729-25M  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2900 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 9.2

Корпус транзистора: CERAMIC

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PH2729-25M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PH2729-25M даташит

 ..1. Size:100K  macom
 ph2729-25m.pdf pdf_icon

PH2729-25M

PH2729-25M Radar Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 25W, 2.7-2.9 GHz, 100 s Pulse, 10% Duty Released, 29 Jun 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Intern

 7.1. Size:102K  macom
 ph2729-8.5m.pdf pdf_icon

PH2729-25M

PH2729-8.5M Radar Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 8.5W, 2.7-2.9 GHz, 100 s Pulse, 10% Duty Released, 29 Jun 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Inte

 7.2. Size:103K  macom
 ph2729-110m.pdf pdf_icon

PH2729-25M

PH2729-110M Radar Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 110W, 2.7-2.9 GHz, 100 s Pulse, 10% Duty Released, 29 Jun 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Inte

 7.3. Size:102K  macom
 ph2729-130m.pdf pdf_icon

PH2729-25M

PH2729-130M Radar Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 130W, 2.7-2.9 GHz, 100 s Pulse, 10% Duty Released, 29 Jun 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Inte

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PH1214-6M, PH1214-80M, PH1617-2, PH2226-110M, PH2226-50M, PH2323-3, PH2729-110M, PH2729-130M, 2N2222, PH2729-65M, PH2729-8.5M, PH2731-20M, PH2731-5M, PH2731-75L, PH2856-160, PH2931-20M, PH3134-10M