PH3134-25M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PH3134-25M  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 159 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 65 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3400 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 7.5

Корпус транзистора: CERAMIC

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PH3134-25M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PH3134-25M даташит

 ..1. Size:102K  macom
 ph3134-25m.pdf pdf_icon

PH3134-25M

PH3134-25M Radar Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 25W, 3.1-3.4 GHz, 100 s Pulse, 10% Duty Released, 10 Jul 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Intern

 6.1. Size:102K  macom
 ph3134-20l.pdf pdf_icon

PH3134-25M

PH3134-20L Radar Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 20W, 3.1-3.4 GHz, 300 s Pulse, 10% Duty Released, 10 Jul 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Intern

 7.1. Size:94K  macom
 ph3134-30s.pdf pdf_icon

PH3134-25M

PH3134-30S Radar Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 30W, 3.1-3.4 GHz, 1 s Pulse, 10% Duty Released, 10 Jul 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Internal

 7.2. Size:95K  macom
 ph3134-55l.pdf pdf_icon

PH3134-25M

PH3134-55L Radar Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 55W, 3.1-3.4 GHz, 300 s Pulse, 10% Duty Released, 10 Aug 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Intern

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PH2729-8.5M, PH2731-20M, PH2731-5M, PH2731-75L, PH2856-160, PH2931-20M, PH3134-10M, PH3134-20L, S8050, PH3134-30S, PH3134-55L, PH3134-65M, PH3135-20M, PH3135-25S, PH3135-5M, PH3135-65M, PH3135-90S