PHPT610035NK datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PHPT610035NK  📄📄 

Маркировка: 10035NK

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 11 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: SOT1205

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PHPT610035NK

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PHPT610035NK даташит

 ..1. Size:241K  nxp
 phpt610035nk.pdf pdf_icon

PHPT610035NK

PHPT610035NK NPN/NPN high power double bipolar transistor 14 October 2014 Product data sheet 1. General description NPN/NPN high power double bipolar transistor in a SOT1205 (LFPAK56D) Surface- Mounted Device (SMD) power plastic package. Matched version of PHPT610030NK. PNP/PNP complement PHPT610035PK. NPN/PNP complement PHPT610035NPK. 2. Features and benefits Current gain matchi

 4.1. Size:238K  nxp
 phpt610035pk.pdf pdf_icon

PHPT610035NK

PHPT610035PK PNP/PNP matched high power double bipolar transistor 24 October 2014 Product data sheet 1. General description PNP/PNP high power matched double bipolar transistor in a SOT1205 (LFPAK56D) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package. Matched version of PHPT610030PK. NPN/NPN complement PHPT610035NK. 2. Features and benefits Current gain matching 10 % High th

 5.1. Size:287K  nxp
 phpt61003py.pdf pdf_icon

PHPT610035NK

PHPT61003PY 100 V, 3A PNP high power bipolar transistor 13 January 2014 Product data sheet 1. General description PNP high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package. NPN complement PHPT61003NY 2. Features and benefits High thermal power dissipation capability Suitable for high temperature applications up to 175 C R

 5.2. Size:291K  nxp
 phpt61003ny.pdf pdf_icon

PHPT610035NK

PHPT61003NY 100 V, 3 A NPN high power bipolar transistor 3 February 2014 Product data sheet 1. General description NPN high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package. PNP complement PHPT61003PY 2. Features and benefits High thermal power dissipation capability Suitable for high temperature applications up to 175 C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PHPT60606PY, PHPT60610NY, PHPT60610PY, PHPT61002NYC, PHPT61002PYC, PHPT610030NK, PHPT610030NPK, PHPT610030PK, BD335, PHPT610035PK, PHPT61003NY, PHPT61003PY, PHPT61006NY, PHPT61006PY, PHPT61010NY, PHPT61010PY, PIMC31